大家好，我是顺亿，今天咱们来聊聊MOSFET的雪崩失效问题。你可能觉得这 stuff 太高深了，但其实很多情况下我们都会遇到这样的问题。别急，听我慢慢道来。
首先，MOSFET失效主要是由于施加的电压超过了它的绝对最大额定值BVDSS，导致击穿和雪崩击穿。这会导致大电流流过，MOSFET可能会短路或者因为热量过大而失效。
什么是雪崩击穿？
雪崩击穿就是当电压超过BVDSS时，自由电子被加速，产生碰撞电离，形成电子-空穴对，就像雪崩一样，越来越多。这时候，与MOSFET内部二极管电流反方向流动的电流就是雪崩电流。
雪崩失效的两种情况
短路造成的失效：雪崩电流会流经MOSFET的基极寄生电阻，如果电位差太大，寄生双极晶体管可能会导通，导致大电流流过，MOSFET短路失效。
热量造成的失效：雪崩击穿期间，除了短路和损坏，还会因为传导损耗产生热量，导致MOSFET损坏。
如何避免雪崩失效？
一般来说，有抗雪崩保证的MOSFET会在规格书中规定IAS和EAS的绝对最大额定值。我们在使用时，要确保不超过这个值。另外，针对反激电压和寄生电感引起的雪崩击穿，我们可以采取降低反激电压、使用更高耐压性能的MOSFET、改用引脚更短的封装的MOSFET或改善电路板布局等措施。
好了，今天的分享就到这里。如果你对MOSFET还有其他疑问，欢迎在评论区留言。我是顺亿，我们下期再见！
声明：本文来源于网络，如有侵权，请及时沟通。